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靜電放電(ESD)的模型以及工業(yè)測試標準
    因ESD產生的原因及其放電的方式不同,ESD目前大體上被分為下列四類:
(1) 人體放電模型 (Human-Body Model, HBM)
(2) 機器放電模型 (Machine Model, MM)
(3) 元件充電模型 (Charged-Device Model, CDM)
(4) 電場感應模型 (Field-Induced Model, FIM)
    下面是四類靜電放電現(xiàn)象詳加說明,并比較各類放電現(xiàn)象的電流大小
    1 人體放電模型 (Human-Body Model, HBM) :
  人體放電模型(HBM)的ESD是指因人體在地上走動摩擦或其他因素在人體上已累積了靜電,當此人去碰觸到IC

時,人體上的靜電便會經由IC的腳(pin)而進入IC內,再經由IC放電到地去,如圖2.1-1(a)所示。此放電的過程會在短到幾百毫微秒(ns)的時間內產生數(shù)安培的瞬間放電電流,此電流會把IC內的元件給燒毀。不同HBM靜電電壓相對產生的瞬間放電電流與時間的關系。對一般商用IC的2-KV ESD放電電壓而言,其瞬間放電電流的尖峰值大約是1.33 安培。

2 機器放電模型 (Machine Model, MM)
  機器放電模型的ESD是指機器(例如機械手臂)本身累積了靜電,當此機器去碰觸到IC時,該靜電便經由IC的pin放電。

3 元件充電模型 (Charged-Device Model, CDM)
  此放電模式是指IC先因摩擦或其他因素而在IC內部累積了靜電,但在靜電累積的過程中IC并未被損傷。此帶有靜電的IC在處理過程中,當其pin去碰觸到接地面時,IC內部的靜電便會經由pin自IC內部流出來,而造成了放電的現(xiàn)象。
  此種模型的放電時間更短,僅約幾毫微秒之內,而且放電現(xiàn)象更難以真實的被模擬。因為IC內部累積的靜電會因IC元件本身對地的等效電容而變,IC擺放的角度與位置以及IC所用的包裝型式都會造成不同的等效電容。由于具有多項變化因素難定,因此,有關此模型放電的工業(yè)測試標準仍在協(xié)議中,但已有此類測試機臺在銷售中。

4 電場感應下面(Field-Induced Model, FIM)
  此FIM模型的靜電放電發(fā)生是因電場感應而起的。當IC因輸送帶或其他因素而經過一電場時,其相對極性的電荷可能會自一些IC腳而排放掉,等IC通過電場之后,IC本身便累積了靜電荷,此靜電荷會以類似CDM的模式放電出來。有關FIM的放電模型早在雙載子(bipolar)電晶體時代就已被發(fā)現(xiàn),現(xiàn)今已有工業(yè)測試標準。在國際電子工業(yè)標準(EIA/JEDEC STANDARD) 中,亦已對此電場感應模型訂定測試規(guī)范 (JESD22-C101),詳細情形請參閱該工業(yè)標準。



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