短脈沖0.1微秒赫茲砷化鎵半導體光電開關(guān)
概述:短脈沖0.1微秒赫茲砷化鎵半導體光電開關(guān)
短脈沖 0.1微秒 赫茲 砷化鎵 半導體 光電開關(guān)
產(chǎn)品描述:通過誘導電導率控制,即利用半導體的光導性,使光照射時電導率增加。
工作原理:常用的半導體材料
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- 98 元
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15182374140
短脈沖0.1微秒赫茲砷化鎵半導體光電開關(guān)
產(chǎn)品描述:通過誘導電導率控制,即利用半導體的光導性,使光照射時電導率增加。
工作原理:常用的半導體材料有摻鉻低溫生長的的砷化鎵,為了降低開關(guān)的恢復時間,達到高轉(zhuǎn)換效率,需要低溫下生長材料,然后快速淬滅。
用途:測試高速集成電子回路,產(chǎn)生太赫茲脈沖,將DC轉(zhuǎn)化成RF,得到連續(xù)波和脈沖模式等
光電開關(guān)接線實物圖:電流輸出和電流輸出
CC:陳經(jīng)理壹叁玖捌玖貳柒叁陸叁零
(One Three Nine Eight Nine Two Seven Three Six Three Zero),企鵝:(Three Nine Seven six one two seven two five)叁玖柒陸壹貳柒貳伍
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產(chǎn)品描述:通過誘導電導率控制,即利用半導體的光導性,使光照射時電導率增加。
工作原理:常用的半導體材料有摻鉻低溫生長的的砷化鎵,為了降低開關(guān)的恢復時間,達到高轉(zhuǎn)換效率,需要低溫下生長材料,然后快速淬滅。
用途:測試高速集成電子回路,產(chǎn)生太赫茲脈沖,將DC轉(zhuǎn)化成RF,得到連續(xù)波和脈沖模式等
光電開關(guān)接線實物圖:電流輸出和電流輸出
具體參數(shù):
類型 |
光電開關(guān) |
反映時間 |
0.05s |
檢測距離 |
30m |
壽命 |
20萬h |
工作電流 |
8A |
反復插拔 |
100萬 |
工作電壓 |
2-40V |
輸出形式 |
常開+常閉 |
產(chǎn)品認證 |
CE |
檢測形式 |
對射式 |
面板材質(zhì) |
LSZH阻燃 |
特點 |
抗震防腐蝕耐磨損 |
顏色 |
玫瑰金 |
輸出功率 |
2400w |
產(chǎn)品凈重 |
300g |
品牌 |
OPTICOMBINE |
(One Three Nine Eight Nine Two Seven Three Six Three Zero),企鵝:(Three Nine Seven six one two seven two five)叁玖柒陸壹貳柒貳伍
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