MCP-T700低抵抗抵抗率計(jì)中國(guó)一級(jí)總代理ASP探測(cè)器 

MCP-T700　低抵抗 抵抗率計(jì)

使用

Loresta - GX是一種測(cè)量電阻率的測(cè)量?jī)x器，它是材料的評(píng)估標(biāo)準(zhǔn)之一。

 

隨著科學(xué)技術(shù)的研究和開發(fā)，當(dāng)然，生產(chǎn)技術(shù)的發(fā)展，在質(zhì)量管理領(lǐng)域的材料越來(lái)越嚴(yán)格的精度高，在很短的時(shí)間周期的管理，它可以很容易，現(xiàn)在是必要的。其中，存在電阻率（表面，體積，電導(dǎo)率）作為表示材料的狀態(tài)和性質(zhì)的指標(biāo)。 Loresta-GX是一種可以通過(guò)校正因子輕松準(zhǔn)確地測(cè)量電阻率的設(shè)備。

 

該裝置已成為符合JIS K 7194，導(dǎo)電塑料通過(guò)各種探針，ITO膜的測(cè)量方法，可以在寬范圍的材料如硅晶片進(jìn)行測(cè)量。

 

不同于傳統(tǒng)的4端子法，而不需要電極制造要被測(cè)量，采用多種4點(diǎn)探針與我們的和是可能電阻率測(cè)量與單個(gè)觸摸。

 

主要測(cè)量對(duì)象

（1）導(dǎo)電塑料，電磁波屏蔽材料，硅片，導(dǎo)電橡膠，

導(dǎo)電漆，漿料，油墨，金屬薄膜，ITO玻璃，薄膜等

特點(diǎn)

必要時(shí)，可以在必要時(shí)以高精度測(cè)量低電阻區(qū)域的表面電阻率，體積電阻率（電阻率）和電導(dǎo)率。

 

與Loresta GP（10 - 3到107）相比，測(cè)量范圍從10 -4擴(kuò)大到107Ω

可以通過(guò)改變電流方向來(lái)測(cè)量硅晶片

恒流可變功能（可以使用微電流進(jìn)行樣品測(cè)量）

可以使用常規(guī)的Loresta GP探針

2000測(cè)量結(jié)果可以輸出到USB存儲(chǔ)器

觸摸面板的可用性提高了可操作性

選項(xiàng)

探測(cè)器

名稱/型號(hào)/產(chǎn)品縮寫概要圖規(guī)格應(yīng)用

ASP探測(cè)器

MCP - TP 03 P.

RMH 110 JIS K 7194兼容

針腳之間：5毫米

針尖：0.37 R×4件

彈簧壓力：210 g /標(biāo)準(zhǔn)探頭，適用范圍廣

ESP探測(cè)器

MCP-TP 08 P.

在RMH 114針之間：5毫米

針尖：φ2mm×4

彈簧壓力：240克/不均勻樣品

LSP探測(cè)器

MCP-TPLSP

在RMH 116引腳之間：5 mm

針尖：球D 2 mm×4

彈簧壓力：130克/軟樣品

PSP探針

MCP-TP 06 P.

RMH 112引腳之間：1.5 mm

針尖：0.26 R×4件

彈簧壓力：70克/本適用于樣品或薄膜

QP2探針

MCP-TPQP 2

在RMH 119引腳之間：1.5 mm

針尖：0.26 R×4件

彈簧壓力：70克/細(xì)樣，方型

BSP探針

MCP-TP 05 P.

RMH 111引腳至引腳：2.5 mm

針尖：0.37 R×4件

彈簧壓力：210克/本

大樣本

 

注）無(wú)法測(cè)量電阻率

 

NSCP探測(cè)器

MCP-NSCP

RMJ在202針之間：1.0毫米

針尖：0.04 R×4件

彈簧壓力：250克/硅片

TFP探針

MCP-TFP

RMJ 217針腳之間：1.0 mm

針尖：0.15 R×4件

彈簧壓力：50 g /用于硅片或玻璃基板上的薄膜

AP2探測(cè)器

MCP - TPAP 2引腳之間：10 mm

針尖φ2×2

彈簧壓力：240 g /標(biāo)準(zhǔn)2探針探針

注）無(wú)法測(cè)量電阻率

[本信息來(lái)自于今日推薦網(wǎng)]