IGBT
所有分類下結(jié)果三菱IGBT模塊CM100MXA-24S CM150DX-24S CM200DX-34S CM300DX-34S
[中介]采用第6代IGBT硅片技術(shù),損耗低二極管采用第6代LPT硅片技術(shù),正向?qū)▔航档凸杵Y(jié)溫可高達(dá)175°C 硅片運(yùn)行溫度最高可達(dá)150°C 內(nèi)部集成NTC測溫電阻全系列共享同一封裝平臺(tái)有條件接受客戶定制
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三菱IGBT模塊CM1400DUC-24NF CM900DUC-24NF CM1000DUC-34NF
[中介]最新的CSTBTTM硅片技術(shù)帶來:杰出的短路魯棒性 - 降低了柵極電容 - 低VCE(sat) Vs. Eoff 新的緊湊型封裝良好的匹配液體冷卻多孔型端子使得接觸阻抗更低,實(shí)現(xiàn)更可靠的長期電氣連接端子孔徑與安裝定位孔徑一
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三菱IGBT模塊CM100DC1-24NFM CM300DC1-24NFM CM150DC1-24NFM
[中介]采用CSTBTTM硅片技術(shù),實(shí)現(xiàn)開關(guān)速度控制的最優(yōu)化飽和壓降低于業(yè)界同類產(chǎn)品續(xù)流二極管:超高速恢復(fù)特性,極低拖尾電流開關(guān)頻率可達(dá)30kHz 模塊內(nèi)部寄生電感低
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三菱IGBT模塊CM200DU-12NFH CM300DU-12NFH CM400DU-12NFH
[中介]采用CSTBTTM硅片技術(shù),實(shí)現(xiàn)開關(guān)速度控制的最優(yōu)化
飽和壓降低于業(yè)界同類產(chǎn)品
續(xù)流二極管:超高速恢復(fù)特性,極低拖尾電流
開關(guān)頻率可達(dá)60kHz
模塊內(nèi)部寄生電感低
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西門康IGBT模塊SKiM270GD176D SKM400GAR176D SKM200GAL176D
[中介]
產(chǎn) 品 型 號(hào) 參 數(shù) 說 明
SKM145GAL176D 1單元,140A/1700V
SKM200GB176D 2單元,200A/1700V
SKM200GAL176D 1單元,200A/1700V
SKM400GAL176D 1單元,400A
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西門康IGBT模塊SEMiX452GB176HDs SEMiX302GB12E4s SEMiX603G
[中介]SEMiX302GAL(R)12E4s 1單元,300A/1200V
SEMiX223GB12Vs 2單元,225A/1200V
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英飛凌IGBT模塊BSM300GA170DN2 BSM200GA170DN2 BSM150GB120DN2
[中介]DN2標(biāo)準(zhǔn)系列
頻率10~20KHZ
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英飛凌IGBT模塊FF300R12KE4 FF450R12KE4 FF225R12ME4 FF600
[中介]頻率1-12K(Tj=175℃ 電流在Tc=100℃標(biāo)稱)
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