GD32F101CBT6解密單片機(jī)芯片解密 

GD32F101CBT6解密單片機(jī)芯片解密

凱基迪科技GD32F101解密系列：

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GD32F101CBT6技術(shù)參數(shù)：

1、ARM® CortexTM-M3內(nèi)核

· 主頻可達(dá)56MHz

· 單指令周期乘法器和硬件除法器

· 嵌套式矢量型中斷控制器，支持16個中斷，每個中斷可設(shè)16個優(yōu)先級

2、閃存空間

· 閃存容量可達(dá)3072KB

· SRAM最大可達(dá)80KB

· 2KB在系統(tǒng)編程引導(dǎo)程序空間

3、低功耗管理

· 支持多種低功耗工作模式:睡眠、深度睡眠、靜止等

· 實時時鐘和備份寄存器有專門的電池供電

4、高性能的模擬外設(shè)

· 2路ADC模數(shù)轉(zhuǎn)換器

· 2路DAC數(shù)模轉(zhuǎn)換輸出

5、豐富的外部設(shè)備接口

· 可達(dá)5路USART/Irda/LIN/ISO7816

· 可達(dá)3路SPI(18M位每秒)

· 可達(dá)2路I2C(400K位每秒)

6、片內(nèi)資源

· 1個系統(tǒng)定時器,可達(dá)10個通用定時器,2個看門狗定時器

· 支持7路DMA直接存儲器存取通道

· 上電復(fù)位、掉電復(fù)位和低電壓檢測

· 多達(dá)80%可用通用I/O口

· 32位CRC循環(huán)冗余校驗

· 片內(nèi)時鐘:高速內(nèi)部時鐘(8MHz)和低速內(nèi)部時鐘(40KHz)

· 可控制多種類型外部存儲器：SRAM, PSRAM, NOR-Flash, LCD