四探針電阻率方阻測(cè)試儀
概述:[中介]本儀器用來測(cè)量硅晶塊、晶片電阻率及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻的小型儀器.本儀器按照半導(dǎo)體材料電阻率的國際及國家標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法有關(guān)規(guī)定設(shè)計(jì)。 它主要由電器測(cè)量部份(主機(jī))及
 
金屬四探頭電阻率方阻測(cè)試儀 - HS-MPRT-5
本儀器用來測(cè)量硅晶塊、晶片電阻率及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻的小型儀器.本儀器按照半導(dǎo)體材料電阻率的國際及國家標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法有關(guān)規(guī)定設(shè)計(jì)。 它主要由電器測(cè)量部份(主機(jī))及四探頭組成,需要時(shí)可加配測(cè)試架。 為減小體積,本儀器用同一塊數(shù)字表測(cè)量電流及阻率。樣品測(cè)試電流由高精寬的恒流源提供,隨時(shí)可進(jìn)行校準(zhǔn),以確保電阻率測(cè)量的準(zhǔn)確度。因此本儀器不僅可以用來分選材料也可以用來作產(chǎn)品檢測(cè)。對(duì)1~100Ω·cm標(biāo)準(zhǔn)樣片的測(cè)量偏差不超過±3%,在此范圍內(nèi)達(dá)到國家標(biāo)準(zhǔn)一級(jí)機(jī)的水平。
金屬四探頭電阻率方阻測(cè)試儀 - 產(chǎn)品特點(diǎn)
■ 采用金屬探頭,游移率小,穩(wěn)定性高。
■ 儀器采用220V交流電源供電
■ 適用于西門子法、硅烷法等工藝生產(chǎn)原生多晶硅料的企業(yè)”
■ 適用于物理提純生產(chǎn)多晶硅料生產(chǎn)企業(yè)
■ 適用于光伏拉晶鑄錠及 IC 半導(dǎo)體器件企業(yè)
■ 具有抗強(qiáng)磁場和抗高頻設(shè)備的性能
金屬四探頭電阻率方阻測(cè)試儀 - 技術(shù)指標(biāo)
■ 電阻率:0.01~199.9Ω·cm
■ 方塊電阻:0.1~1999Ω/口
■ 直流數(shù)字電壓表  測(cè)量范圍:0~199.9mv
              靈敏度:100μv
準(zhǔn)確度:0.2%(±2個(gè)字)
■ 電源: AC 220V ± 10% , 50HZ
■ 功耗:最大功耗 ≤10W ,平均功耗≈ 8W
金屬四探頭電阻率方阻測(cè)試儀 - 典型客戶
 江蘇、浙江、廣東、湖南湖北、內(nèi)蒙古、河南等地的CZ直拉單晶及鑄錠客戶。[本信息來自于今日推薦網(wǎng)]
金屬四探頭電阻率方阻測(cè)試儀 - HS-MPRT-5
本儀器用來測(cè)量硅晶塊、晶片電阻率及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻的小型儀器.本儀器按照半導(dǎo)體材料電阻率的國際及國家標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法有關(guān)規(guī)定設(shè)計(jì)。 它主要由電器測(cè)量部份(主機(jī))及四探頭組成,需要時(shí)可加配測(cè)試架。 為減小體積,本儀器用同一塊數(shù)字表測(cè)量電流及阻率。樣品測(cè)試電流由高精寬的恒流源提供,隨時(shí)可進(jìn)行校準(zhǔn),以確保電阻率測(cè)量的準(zhǔn)確度。因此本儀器不僅可以用來分選材料也可以用來作產(chǎn)品檢測(cè)。對(duì)1~100Ω·cm標(biāo)準(zhǔn)樣片的測(cè)量偏差不超過±3%,在此范圍內(nèi)達(dá)到國家標(biāo)準(zhǔn)一級(jí)機(jī)的水平。
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■ 儀器采用220V交流電源供電
■ 適用于西門子法、硅烷法等工藝生產(chǎn)原生多晶硅料的企業(yè)”
■ 適用于物理提純生產(chǎn)多晶硅料生產(chǎn)企業(yè)
■ 適用于光伏拉晶鑄錠及 IC 半導(dǎo)體器件企業(yè)
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金屬四探頭電阻率方阻測(cè)試儀 - 技術(shù)指標(biāo)
■ 電阻率:0.01~199.9Ω·cm
■ 方塊電阻:0.1~1999Ω/口
■ 直流數(shù)字電壓表  測(cè)量范圍:0~199.9mv
              靈敏度:100μv
準(zhǔn)確度:0.2%(±2個(gè)字)
■ 電源: AC 220V ± 10% , 50HZ
■ 功耗:最大功耗 ≤10W ,平均功耗≈ 8W
金屬四探頭電阻率方阻測(cè)試儀 - 典型客戶
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